讲家长C）GNCNTs样品和Pt/C的Tafel曲线。
最后，个被文章还探讨了平面纳米线生长在制备超可拉伸纳米线弹簧沟道和高密度三维集成方向的应用潜力。图6：耽误的故（左）通过平面纳米线线形调控实现的超可拉伸晶硅纳米线沟道，以及连续可拉伸网格结构。
聚焦于平面纳米线生长、讲家长集成和器件应用的研究进展，讲家长南京大学余林蔚、徐骏教授课题组应邀在《先进材料》上撰写长文综述，系统介绍近二十年来自组装半导体纳米线研究的发展历程，关键技术突破和目前所面临的主要困难。个被（右）利用叠层前驱体供给实现的Ge/Si异质岛链超晶格纳米线结构及其组分和结构表征。然而，耽误的故如何在主流平面工艺框架中，耽误的故实现自组装半导体纳米线的精准定位和规模集成，一直是巨大的技术挑战--被当今学术界广泛认为是突破和推广纳米线技术应用的最后一个技术障碍。
图5：讲家长（左）平面纳米线超朔形形貌调控实现的均匀、岛链、弹簧和分立纳米线结构。3）基于一种新型的平面固液固(In-Plane-Solid-Liquid-Solid,IPSLS)生长机制，个被利用非晶薄膜（例如非晶硅，个被a-Si）作为前驱体，直接将金属催化液滴限制于平面中，生长出自回避、不交叉的平面半导体纳米线。
基于此IPSLS生长模式，耽误的故可以方便地实现平面同质／异质定向外延生长，还能够利用可以方便定义的台阶边缘对纳米线进行精准定位引导。
以上综述内容近期发表于AdvancedMaterials 31,1903945(2019)DOI:10.1002/adma.201903945,PlanarGrowth,Integration,andApplicationsofSemiconductingNanowires，讲家长https://doi.org/10.1002/adma.201903945,孙莹同学，讲家长董泰阁同学为共同第一作者，余林蔚教授和徐骏教授为通信作者。f）片状SnO2@PB（前驱体，个被Sn-90）的透射电镜图像。
研究超薄，耽误的故可调谐的高性能柔性电磁吸收装置对于解决信号干扰和电磁污染问题具有重要意义，然而这方面的研究仍然进展缓慢。讲家长c）ET-FA装置（Sn-45）的合格fE区。
g，个被h）放大的Sn-75和Sn-90的透射电镜图像。耽误的故图6电开关Sn/SnS/SnO2@C和Sn/SnS@C基电磁吸收器件a）SnS/SnO2@C的形成示意图。